INTEL DC P4610 Series 6,4TB

Gewicht: 139 g,Breite: 15 mm,Betriebstemperatur: 0 - 55 °C,Stoßfestigkeit in Betrieb: 1000 G,Stoßfestigkeit außer Betrieb: 100 G,Maximale Betriebstemperatur: 55 °C,Vibrationen außer Betrieb: 3,13 G,Vibrationen in Betrieb: 2,17 G,Schock bei Betrieb/Stillstand: 1000G (0.5ms),Energieverbrauch (idle): 5 W,Energieverbrauch (lesen): 15 W,Energieverbrauch (schreiben): 15 W,Energieverbrauch (Betrieb): 15 W,Schreibrate: 3200 MB/s,Leserate: 3200 MB/s,Status: Launched,SSD-Gewicht: 139 g,SSD-Hardwareverschlüsselung: AES 256 bit,SSD-Stromverbrauch (aktiv): 15W,SSD-Stromverbrauch (Leerlauf): 5W,SSD-Beständigkeitsbewertung: 36.54PBW,Startdatum: Q2'18,SSD-Schock: 1000G (0.5ms),Laufwerkskapazität: 6,4 TB,Letzte Änderung: 63903513,Produktfamilie: Rechenzentrum SSD,Produktreihe: Intel® SSD DC P4610 Series,Produktcodename: Cliffdale Refresh,Warentarifnummer (HS): 84717070,Intel® Rapid-Start-Technologie: Nein,Intel® Smart-Response-Technologie: Nein,Intel® High Endurance Technology (HET): Ja,Intel® Remote Secure Erase: Nein,Schnittstelle: PCI Express 3.1,Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES,Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 2000000 h,Speichertyp: TLC 3D NAND,Lesegeschwindigkeit: 3200 MB/s,Schreibgeschwindigkeit: 3200 MB/s,SSD Speicherkapazität: 6,4 TB,Zufälliges Schreiben (4KB): 210500 IOPS,Zufälliges Lesen (4KB): 654000 IOPS,Komponente für: Server/Arbeitsstation,Unkorrigierbare Bit Error-Rate (UBER): < 1 per 10^17 bits read,Lese-Latenzzeit: 77 µs,Schreib-Latenzzeit: 18 µs,Verbesserte Stromausfall-Datenschutz Technologie: Ja,Zufälliges Schreiben (100% span): 210500 IOPS,Zufälliges Lesen (100% span): 654000 IOPS,Hardwareverschlüsselung: Ja,SSD Temperaturüberwachung: Ja,End-to-End Datenschutz: Ja,SSD-Formfaktor: U.2,Marktsegment: Server,SSD ARK ID: 140106,NVMe: Ja,Exportkontroll-Klassifizierungsnummer (ECCN): 5A992C,Warenklassifizierungssystem zur automatisierten Nachverfolgung (CCATS): G162706,Temperaturüberwachung und -protokollierung: Ja,Zufällige Latenzzeit - Lesen (bis zu): 95 µs,Zufällige Latenzzeit - Schreiben (bis zu): 20 µs,Sequentielle Latenzzeit - Lesen (bis zu): 12 µs,Sequentielle Latenzzeit - Schreiben (bis zu): 18 µs